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美國(guó)吉時(shí)利4200替代品易恩MOS測(cè)試儀

西安廠家直供大功率MOS動(dòng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

規(guī)格環(huán)境

A. 環(huán)境溫度： 25±10℃，

B．相對(duì)濕度：濕度不大于65%

C. 大氣壓力： 86Kpa～ 106Kpa

D. 工作電壓：三相五線制AC 380V±10%，或者單相三線制AC 220V±10%

E．電網(wǎng)頻率： 50Hz±1Hz

F. 壓縮空氣： 0.4～0.6Mpa

G. 防護(hù)：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

功能簡(jiǎn)介

此設(shè)備具有以下測(cè)試單元。注：開關(guān)時(shí)間，二極管反向恢復(fù)，柵極電荷需要可在分裝后測(cè)試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測(cè)試需要在加電容前測(cè)試。

開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元

開啟延遲時(shí)間（Td(on)）上升時(shí)間（Tr）

關(guān)斷延遲時(shí)間（Td(off)）下降時(shí)間（Tf）

開啟損耗Eon 關(guān)斷損耗Eoff

二極管反向恢復(fù)測(cè)試單元

反向恢復(fù)時(shí)間（Trr）反向恢復(fù)電荷（Qrr）

柵極電荷測(cè)試單元

閾值電荷（Qg（th））柵電荷（Qg）

靜態(tài)全參數(shù)測(cè)試單元

RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

雪崩測(cè)試單元

雪崩電流（I），雪崩電壓(V)，雪崩能量(E)

測(cè)量的MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱	符號(hào)	參數(shù)名稱	符號(hào)
開通延遲時(shí)間	td(on)	關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)
上升時(shí)間	tr	下降時(shí)間	tf
開通時(shí)間	ton	關(guān)斷時(shí)間	toff
開通損耗	Eon	關(guān)斷損耗	Eoff
柵極電荷	Qg	拖尾時(shí)間	tz

測(cè)量的DIODE動(dòng)態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱	符號(hào)	參數(shù)名稱	符號(hào)
反向恢復(fù)時(shí)間	trr	反向恢復(fù)電荷	Qrr

美國(guó)吉時(shí)利4200替代品易恩MOS測(cè)試儀

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