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    美國Trion 反應式等離子刻蝕及沉積系統

    應用于半導體行業(yè):

    半導體加工設備-刻蝕設備-反應離子刻蝕機

    產(chǎn)品品牌

    TRION

    運費說(shuō)明:

    包郵

    庫       存:

    1

    產(chǎn)       地:

    全國

    數       量:

    減少 增加

    價(jià)       格:

    面議
    交易保障 擔保交易 網(wǎng)銀支付

    品牌:TRION

    型號:

    所屬系列:半導體加工設備-刻蝕設備-反應離子刻蝕機

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    美國Trion Technology
    反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統及沉積(PECVD)系統
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    批量生產(chǎn)用設備:
     
    去膠系統
    - 低損傷去膠系統

    新式去膠系統的成本已攀升到不合理水平,但Trion已通過(guò)兩套價(jià)格低廉、緊湊的多功能系統使這一關(guān)鍵問(wèn)題得到解決:GeminiApollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率,可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據應用要求,每套系統可以結合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒(méi)有任何常見(jiàn)的微波調諧問(wèn)題) ICP 技術(shù)。

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    刻蝕速率高達6微米/?
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    高產(chǎn)量
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    等離子損傷低?
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    自動(dòng)匹配單元
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    適用于100mm 300mm 基片?
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    設備占地面積小
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    價(jià)格具競爭性
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    刻蝕/沉積
     
    Titan是一套用于半導體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動(dòng)化、帶預真空室的等離子系統。

    Titan
    具有反應離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(PECVD)配置??蓪蝹€(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。

    刻蝕應用范圍:?
    砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學(xué)刻蝕的材料。

    沉積應用范圍:
    二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。
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    Oracle III由中央真空傳輸系統(CVT)、真空盒升降機和最多四個(gè)工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接,既能夠以生產(chǎn)模式運行,也能夠作為單個(gè)系統獨立作業(yè)。 Oracle III是市場(chǎng)上最靈活的系統,既可以為實(shí)驗室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機進(jìn)行基片傳送)。

    由于Oracle III 最多可容納四個(gè)獨立的工藝室,其可以有多種不同的工藝組合,其中包括RIE/ICP (反應離子刻蝕機/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個(gè)室可以同時(shí)工作。鑒于所有工藝室均有真空負載鎖,工藝運行安全且沒(méi)有大氣污染。
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    小批量生產(chǎn)用設備:
     
    沉積 (PECVD)
     
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    Minilock-Orion III是一套最先進(jìn)的等離子增強型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統。系統的下電極尺寸可為200mm300mm,且根據電極配置,可以處理單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3” - 300mm尺寸),或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)??沙练e的薄膜包括:氧化物、氮氧化物、無(wú)定形硅和碳化硅??梢允褂玫姆磻獨怏w包括:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。

    該系統可選配一個(gè)三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶(hù)可以創(chuàng )建高密度等離子,從而控制薄膜應力?;ㄟ^(guò)預真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產(chǎn)品接觸,從而提高了用戶(hù)的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應室與大氣隔絕。
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    刻蝕 (RIE)
     
    Minilock-Phantom III?具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3” - 300mm尺寸),為實(shí)驗室和試制線(xiàn)生產(chǎn)環(huán)境提供最先進(jìn)的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料??蛇x配靜電吸盤(pán)(E-chuck),以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個(gè)氦冷卻層,從而達到控制基片溫度的作用。

    該設備可選配一個(gè)電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶(hù)可以創(chuàng )建高密度等離子,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
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    實(shí)驗室/研發(fā)/芯片失效分析用設備:
     
     
    沉積
     
    Orion III 等離子增強型化學(xué)汽相沉積(PECVD)系統適用于單個(gè)基片、碎片或帶承片盤(pán)的基片(2” - 300mm尺寸),為實(shí)驗室和試制線(xiàn)生產(chǎn)提供最先進(jìn)的沉積能力。Orion III系統用于非發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無(wú)定形硅。工藝氣體<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設備可選配一個(gè)ICP或三極管(Triode)源。
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    刻蝕
     
    Phantom III反應離子蝕刻(RIE)系統適用于單個(gè)基片、碎片或帶承片盤(pán)的基片300mm尺寸,為實(shí)驗室和試制線(xiàn)生產(chǎn)提供最先進(jìn)的等離子蝕刻能力。系統有多達七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學(xué)刻蝕的薄膜或基片(如碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)
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    Sirus T2 臺面式反應離子刻蝕機(RIE)可用于介質(zhì)以及其它要求氟化基化學(xué)的薄膜刻蝕。用於對矽、二氧化矽、氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制,高度選擇性和良好一致性的材料進(jìn)行蝕刻。?

    本機包含200mm下電極, 系統控制器(含電腦主機及觸控介面),13.56MHz, 300/600W 射頻發(fā)生器及自動(dòng)調諧,最大四路/六路工藝氣體及自動(dòng)壓力控制模塊等。占地面積小且堅固耐用,非常適合用於研發(fā),實(shí)驗室環(huán)境及失效分析。
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    4001027270

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