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      FIB雙束電鏡檢測(cè)

      發(fā)表于:2020-02-26  作者:ioptee01  關(guān)注度:1370

             聯(lián)系方式:18951907529
             聚焦離子束雙束系統(tǒng)用于金屬、半導(dǎo)體、電介質(zhì)、多層膜結(jié)構(gòu)等固體樣品上制備微納結(jié)構(gòu);高質(zhì)量定點(diǎn)TEM樣品制備;化學(xué)和晶體結(jié)構(gòu)三維形態(tài)分析。

      儀器功能介紹:

      一:截面切割表征,可以在樣品進(jìn)行定點(diǎn)切割,并且配合EDS能譜分析表征其截面形貌與元素分布,可用于芯片等器件失效分析,或者實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品材料的三維重構(gòu)分析。

      二:直寫(xiě)制備微納結(jié)構(gòu),可以于金屬、半導(dǎo)體等固體材料上制備線寬15nm以上的納米結(jié)構(gòu)器件,可用于制備包括光子晶體結(jié)構(gòu),表面等離激元器件等。

      三:配備Pt誘導(dǎo)沉積系統(tǒng),可以在樣品定點(diǎn)區(qū)域沉積金屬Pt,可用于芯片修補(bǔ),也可沉積制備納米圖形。
             
             四:制備TEM樣品,對(duì)樣品的進(jìn)行定點(diǎn)切片。

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